具有短路保护区域的镶嵌栅极制造技术

本发明专利技术一般地涉及半导体器件，更具体地说，涉及具有短路保护区域（60）的镶嵌栅极（100；图1C）及其制造方法。本发明专利技术的第一方面提供一种形成具有短路保护区域（60）的镶嵌栅极（100）的方法，该方法包括：形成镶嵌栅极，该栅极具有：衬底（12）顶上的栅极电介质；栅极电介质顶上的栅极导体（40）；横向邻近栅极导体（30）的导电衬里；导电衬里和衬底（20）之间的隔离物；以及在栅极导体（60）顶上的第一电介质；移除导电衬里（30）的一部分；在导电衬里（30）的剩余部分顶上沉积第二电介质（60），以便第二电介质横向邻近第一电介质和栅极二者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般地涉及半导体器件，更具体地说，涉及具有短路保护区域的镶嵌栅极及其制造方法。
技术介绍
现在的集成电路(IC)设计经常使用具有非故意接触蚀刻和/或接触至栅极短路风险的接触尺寸、栅极尺寸和操作电压。栅极拐角特别容易发生接触至栅极短路。此问题的一种解决方案是增加接触和栅极拐角之间的距离。然而，这样的解决方法不能令人满意，因为通过这样的距离增加必然增加栅极尺寸并且伴随着器件性能的下降。
技术实现思路
本专利技术提供具有短路保护区域的镶嵌栅极及其制造方法。 本专利技术的第一方面提供一种形成具有短路保护区域的镶嵌栅极的方法，该方法包括形成镶嵌栅极，该栅极具有栅极电介质，在衬底顶上；栅极导体，在所述栅极电介质顶上；导电衬里，横向邻近所述栅极导体；隔离物，在所述导电衬里和所述衬底之间；以及第一电介质，在所述栅极导体顶上；移除所述导电衬里的一部分；以及在所述导电衬里的剩余部分顶上沉积第二电介质，以便所述第二电介质横向邻近所述第一电介质和所述栅极。本专利技术的第二方面提供一种形成具有短路保护区域的镶嵌栅极的方法，该方法包括形成镶嵌栅极，该栅极具有栅极电介质，在衬底顶上；栅极导体，在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·A·安德森，E·J·诺瓦克，J·H·兰金，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：