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本发明提供了一种分布式反馈激光器及其制备方法。该分布式反馈激光器，包括自下而上沉积于衬底上的以下各层：下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；分布式反馈激光器的中部两侧刻蚀有沟槽，沟槽的底部形成于欧姆接触层与有源区之间的...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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