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阻变存储器单元及其制造方法技术
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文档序号:7899501
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一种阻变存储器单元及其制造方法,该阻变存储器单元包括具有顶电极、底电极以及形成在所述顶电极和底电极之间的阻变层的阻变存储器,具有源极、漏极和栅极的MOS管。所述阻变存储器的底电极由硅基材料形成,并且所述MOS管的源极连接到所述底电极。本发明...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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