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一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：下电极；下电极之上的局部控制电极；下电极和局部控制电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过下电极上的局部控制电极，增强了存储介质内的局域电场强度，使导电细丝更容易沿着该控制电极形成，这样...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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