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本发明公开一种半导体结构及降低间隙壁高度的方法，该半导体结构包括基底与位于基底上的栅极结构。栅极结构包括位于基底上的栅极介电层、位于栅极介电层上栅极材料层，以及具有矩形切面的外间隙壁。间隙壁的顶面低于栅极材料层的顶面。...
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