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本发明公开了一种基于回型沟道工艺的混合晶面SOI?BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：制备SOI衬底，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，制备深槽隔离，形成集电极、基极以及发射极接触区，形成SiGe?HBT器件；...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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