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本发明提供等离子体处理装置。通过控制环部件的温度抑制沉积物向基板背面的附着量。在电容耦合型的等离子体蚀刻装置中，以包围载置台的基板载置区域的方式，在该载置台上设置用于调整等离子体的状态的聚焦环。此外，在载置台的上表面与聚焦环的下表面之间，沿...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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