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一种制备三维有序大孔锗硅、锗铝异质薄膜材料的离子液体电沉积方法，它涉及一种制备薄膜材料的离子液体电沉积方法。本发明要解决现有异质薄膜材料制备困难的问题。本发明方法如下：选择在ITO导电玻璃上生长的合适粒径的聚苯乙烯胶体晶体模板，配制含有锗、...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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