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本实用新型涉及一种支持高擦写次数的FLASH存储器电路，其包括闪存单元和读写控制扩展电路单元，读写控制扩展电路单元包括写入控制电路、读出控制电路和长度寄存器，长度寄存器分别连接写入控制电路和读出控制电路，闪存单元通过写入控制电路连接外部写操...
该专利属于无锡华润矽科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润矽科微电子有限公司授权不得商用。

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