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本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件通过将在关断状态下在源极与漏极之间的泄漏电流小的晶体管用作写晶体管来存储数据。在写晶体管的漏极与读晶体管的栅极连接以及写晶体管的漏极与电容器的一个电极连接的包含多个存储单元的矩阵中，写晶体管的栅极与写...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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