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本实用新型涉及一种具有低辐射发射水平的电子设备接口,包括信号传输端口和金属外壳,信号传输端口从金属外壳上设置的端口通孔延伸至金属外壳外侧,且金属外壳在端口通孔处向端口通孔内侧弯折并延伸形成与信号传输端口相接触的外壳内延伸部分。采用该种结构的...该专利属于上海市共进通信技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海市共进通信技术有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及一种具有低辐射发射水平的电子设备接口,包括信号传输端口和金属外壳,信号传输端口从金属外壳上设置的端口通孔延伸至金属外壳外侧,且金属外壳在端口通孔处向端口通孔内侧弯折并延伸形成与信号传输端口相接触的外壳内延伸部分。采用该种结构的...