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本发明公开了一种室温隧道各向异性磁电阻器件及其制备方法。该器件结构依次包括：基片、底电极、铁磁层（FM）、反铁磁层、隧穿层和顶电极；其中，铁磁层为由垂直磁化膜构成，包括垂直磁化的[Co/Pt]n、[Co/Pd]n、[Co/Ni]n多层膜（n...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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