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本发明适用于大功率GaN基LED芯片的复合电极，含有P、N电极，所述P电极为含有ITO薄膜、P面金属焊盘和P面ITO条形电极的复合电极：ITO薄膜覆盖在P型氮化镓表面，P面金属焊盘设置在P型GaN表面的一端，P面ITO条形电极与P面金属焊盘...
该专利属于施科特光电材料(昆山)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过施科特光电材料(昆山)有限公司授权不得商用。

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