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一种高压LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规具有降场层结构的高压LDMOS器件结构基础上，通过提高第一导电类型半导体降场层3的浓度，减小第一导电类型半导体降场层3在器件宽度方向上的面积，即第一导电类型半导体降场层（3）在...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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