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本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，并且在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分中形成有凹槽；采用选择性外延生长法在所述凹槽的底部和侧壁上形成厚度均匀的硼扩散阻挡层；以及采...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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