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本发明涉及半导体集成电路的制造领域，尤其涉及一种铝薄膜的制备工艺。本发明提出一种铝薄膜的制备工艺，通过优化铝薄膜的沉积条件，改善了铝颗粒的成长过程，从而有效的减少晶须缺陷的产生，进而提高产品的良率。...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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