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一种形成锗硅沟道以及PMOS晶体管的方法，形成PMOS晶体管的方法包括：提供基底，所述基底为硅基底或绝缘体上硅基底，所述基底上形成有浅沟槽隔离结构，相邻的浅沟槽隔离结构之间为有源区域，所述有源区域包括源极区域、漏极区域以及沟道区域；对所述沟...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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