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本发明公开了一种用于编程擦除读取纳米级电阻性存储装置的页缓冲器架构，基于单一命令，提供高电流于编程和擦除功能，以仅编程和擦除其状态将从其先前状态改变的该存储装置(30)。...
该专利属于斯班逊有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯班逊有限公司授权不得商用。

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