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本发明涉及一种用于处理暂时接合在载体晶片上的产品晶片的方法，具有如下步骤：－将产品晶片在背向载体晶片的平坦侧上研磨和/或背面磨薄到＜150μm、尤其是＜100μm、优选＜75μm、更优选＜50μm、特别优选＜30μm的产品晶片厚度D，－在所...该专利属于EV集团E·索尔纳有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过EV集团E·索尔纳有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及一种用于处理暂时接合在载体晶片上的产品晶片的方法，具有如下步骤：－将产品晶片在背向载体晶片的平坦侧上研磨和/或背面磨薄到＜150μm、尤其是＜100μm、优选＜75μm、更优选＜50μm、特别优选＜30μm的产品晶片厚度D，－在所...