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本发明公开了一种SOI?BJT应变SiGe回型沟道BiCMOS集成器件及电路制备方法，在SOI衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离，在双极器件区域制造常规的Si双极晶体管；在600～780℃，在衬底NMOS器件和PMOS器件有源...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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