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本发明涉及用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法。在本发明的第一优选实施例中，将导电部件(44)形成在第一介电蚀刻停止层(40)上，且将第二介电材料(48)沉积在所述导电部件上方及之间。在所述第一与第二电介质之间具有选择性的通...
该专利属于桑迪士克3D公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克3D公司授权不得商用。

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