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本发明公开了一种碳化硅薄膜制作方法，在淀积一定厚度的碳化硅薄膜后，采用碳氢化合物对其进行远程等离子体处理，如此可去除碳化硅薄膜里的氮元素，并且由于是远程等离子体处理，对被处理的碳化硅薄膜表面几乎没有任何损伤，这样周而复始几个循环达到目标厚度...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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