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本发明公开了一种提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构，所述结构包括若干个相同的电阻随机存储器单元，其中所述电阻随机存储器单元之间相并联以组成并联的冗余结构；所述并联的冗余结构的公共电极两端施加有电流激励，以采用电流扫描的方式对所述并联的...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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