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本发明提供具有受控沟道应变和结电阻的NMOS晶体管及NMOS晶体管的制造方法。在一些实施方式在中，用于形成NMOS晶体管的方法可以包括(a)提供具有p型硅区域的衬底；(b)在所述p型硅区域上沉积硅晶种层；(c)所述硅晶种层上沉积含硅体层，所...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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