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本发明公开了一种将碳纳米管束通过转移的方式填充到硅转接板的TSV中的方法。该方法是将碳纳米管束生长在普通硅基底上，然后通过转移的方法将碳纳米管束填充到硅转接板的TSV中。此方法的优势在于碳纳米管束的生长不受温度限制，可以得到任意所需长度的碳...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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