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一种半导体制造装置，其包括：处理室，其用期望的化学液来处理晶片的被处理膜；膜厚度测量单元，其测量处理前的被处理膜的初始膜厚度和处理后的被处理膜的最终膜厚度；以及主体控制单元，其由初始膜厚度、最终膜厚度以及从初始膜厚度直到最终膜厚度所占用的化...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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