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本发明公开了一种基于湿法腐蚀制备位相型衍射光学元件的方法，该方法利用SU-8负性光刻胶形成衍射光学元件光刻胶图形，之后通过旋涂无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ，对样品进行X射线辐照使无机负性电子束光刻抗蚀剂HSQ转变为类石英，最后通过浓硫酸和...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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