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本发明公开了一种基于PD?SOI工艺的体栅耦合NMOS?ESD保护结构，在该结构中栅极采用H型结构，在H型栅的边栅外侧和内侧进行两处体区P+注入，漏区采用N+深注入，将SOI基片上的硅膜穿通，源区采用N+浅注入，对SOI基片上的硅膜进行部分...该专利属于中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所授权不得商用。