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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法以及电源装置。一种半导体器件，包括：设置在栅电极3和栅极绝缘膜2之间或者设置在含Al欧姆电极4和5与Au互连9之间并且在栅电极3之下和含Al欧姆电极4和5之上的电极材料扩散抑制层6，电极材料扩散抑制层6具...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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