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一种PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数的调节方法，在完成常规的LOCOS或STI介质隔离后，用快速热氧化或化学法在半导体衬底上生长超薄界面氧化层或氮氧化层；淀积高介电常数(K)栅介质，接着快速热退火；淀积复合金属栅；淀积势垒金属层；淀积多...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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