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半导体器件包括在半导体衬底上的栅极。栅极的一个侧壁可以包括至少一个突起，以及栅极的对侧壁可以包括至少一个凹陷。接触件通过在栅极上设置的绝缘层来形成。接触件至少部分地与栅极中的突起中的至少一个重叠。金属层设置在绝缘层上。金属层包括向栅极的第一...
该专利属于超威半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过超威半导体公司授权不得商用。

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