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描述了半导体器件和制造该器件的方法。该器件可以是结型场效应晶体管（JFET），或诸如结型势垒肖特基（JBS）二极管或PiN二极管。该器件利用使用植入掩模的可选择离子植入来制造。该器件具有通过从植入掩模扩散正常入射离子而形成的植入侧壁。描述了...
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