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在此描述在基板上形成高电流密度的垂直P-I-N二极管的方法。所述方法包括以下步骤：同时将含四族元素的前驱物结合依序式的暴露，所述依序式的暴露是以任一次序对n型掺杂剂前驱物及p型掺杂剂前驱物暴露。通过减少或消除掺杂剂前驱物的流动同时流入含四族...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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