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公开一种降低电子装置中的功耗的系统和方法。主要通过重新使用块CMOS处理流程和制造技术来实施该结构和方法。该结构和方法涉及深度耗尽沟道设计(DDC)设计，允许CMOS基装置相比于传统的块CMOS具有降低的西格玛VT，并能允许在沟道区域中具有...
该专利属于苏沃塔公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏沃塔公司授权不得商用。

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