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本发明公开了一种碲化镉靶材的制作方法,包括对碲化镉材料进行冷压成形,制作成碲化镉靶材、对镉化镉靶材进行烧结和冷却的步骤,在烧结步骤中,首先通入惰性气体,将靶材加热到80~150℃,然后保温50~70分钟;最后在4小时内逐渐升温至780~88...该专利属于成都中光电阿波罗太阳能有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都中光电阿波罗太阳能有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种碲化镉靶材的制作方法,包括对碲化镉材料进行冷压成形,制作成碲化镉靶材、对镉化镉靶材进行烧结和冷却的步骤,在烧结步骤中,首先通入惰性气体,将靶材加热到80~150℃,然后保温50~70分钟;最后在4小时内逐渐升温至780~88...