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为了解决在等离子体CVD法的膜生成的初始阶段中，难以形成结晶度优异的硅层的问题，提供一种半导体器件，包括：基板；结晶硅层；包含氧化钛作为主要成分的氧化钛层；和与所述结晶硅层电连接的一对电极，其中：所述氧化钛层和所述结晶硅层是从基板侧起按照所...
该专利属于佳能株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社授权不得商用。

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