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本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括基底、半导体层、第一掺杂图案和第二掺杂图案。基底具有适合于接收太阳光的第一表面和背对第一表面的第二表面。半导体层包括形成在基底的第二表面的第一区域上的绝缘图案以及形成在基底的第二表面的...
该专利属于三星SDI株式会社;三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社;三星电子株式会社授权不得商用。

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