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叠栅SiC-MIS电容的制作方法技术
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文档序号:7662906
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本发明公开了一种叠栅SiC-MIS电容的制作方法,主要解决SiC功率MIS器件栅泄漏电流过大、SiC和SiO2界面态密度过高以及击穿特性较差的问题。其制作过程是:对N型SiC外延片进行标准湿法清洗;通过干氧氧化方法生长一层SiO2薄膜,形成...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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