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本发明提供了一种半导体器件制造方法。为了提供能够防止Cu布线的腐蚀并且借此提高半导体器件的产率的技术，一种半导体器件的制造方法包括以下步骤：通过使用抛光浆的CMP移除Cu膜在半导体衬底中的布线沟槽以外的部分；通过使用包含抗腐蚀剂的抛光浆的C...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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