温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明一种GaAs半导体材料刻蚀液的配方，包括：柠檬酸、过氧化氢和去离子水；其是先将柠檬酸和去离子水按预定比例混合，再加入过氧化氢搅拌均匀。其中该刻蚀液是先将1g的柠檬酸晶体兑入1ml的去离子水中，搅拌均匀，再加入浓度为30％的过氧化氢，柠...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。