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一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法技术
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文档序号:7639750
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本发明公开了一种一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO2制备一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料。该方法重复性高、可控性强、环境友好,且SnO2包覆均匀。制...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。
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