一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法技术

技术编号:7639750 阅读:273 留言:0更新日期:2012-08-04 15:52
本发明专利技术公开了一种一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO2制备一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料。该方法重复性高、可控性强、环境友好,且SnO2包覆均匀。制备出的ZnO/SnO2一维核壳结构纳米异质结材料在太阳能电池、气体传感器以及光催化等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孟祥敏黄兴
申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
类型:发明
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