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本发明提供一种LPCVD保养后复机方法，包括：S1：将实验片放入LPCVD设备的反应腔中，在所述实验片上沉积膜层，并测试所述实验片的膜层的实际膜厚；S2：利用一数据分析系统根据所述实验片的膜层的实际膜厚判断是否需要补正；如果不需要补正的话，...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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