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本发明提供一种半导体器件，以解决属于三次元半导体的SGT因为泄漏电流增加所致消耗电力的增大，实现SGT的低消耗电力。该半导体器件具备：第1导电型第1硅柱、包围第1导电型第1硅柱的侧面的第1绝缘体及包围第1绝缘体的栅极；在第1硅柱下部具备有第...
该专利属于新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司授权不得商用。

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