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本发明公开了一种干法刻蚀设备反应腔的上部电极，采用碳、碳化硅、硅、和/或石英材料制造，在所述上部电极内部嵌入金属，或者在所述上部电极表面覆盖金属。本发明可以减少或避免反应生成物粘附在上部电极周围，延长上部电极使用寿命，加快刻蚀速率。...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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