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本发明关于一种半导体元件的制备方法，其包括步骤：步骤一：应用传统的工艺流程制备多晶硅栅极并沉积适当厚度的层间介质层(ILD，Interlayer?Dielectric)；该多晶硅栅极具有位于下层的浮栅(FG，Floating?Gate)、中...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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