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本发明公开了一种低压可调节带隙基准源的电路,三个PNP三级管的集电极和基极接地,第一PNP三级管的发射极与第一电阻的一端相连接,第一电阻的另一端与运算放大器的正向输入端和第一PMOS晶体管的漏极相连接,第二PNP三级管的发射极接运算放大器的...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种低压可调节带隙基准源的电路,三个PNP三级管的集电极和基极接地,第一PNP三级管的发射极与第一电阻的一端相连接,第一电阻的另一端与运算放大器的正向输入端和第一PMOS晶体管的漏极相连接,第二PNP三级管的发射极接运算放大器的...