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本发明提供一种铂金属硅化物的形成方法，依次包括铂金属硅化物的淀积、热退火和清洗三个步骤，其中淀积步骤的具体工艺条件包括：淀积腔室的等离子体产生功率为1000～3000W，正面Ar流量为55～85sccm，背面Ar流量为5～20sccm，淀积...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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