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本发明所提供的刻蚀方法，通过比较待刻蚀图案与已有刻蚀图案、测试基片形貌与标准形貌、测试各基片的金属刻蚀终点时间，并观察各基片金属刻蚀终点时间是否有下降趋势的步骤、比较最后一个测试基片的形貌与标准形貌的步骤。在各基片金属刻蚀终点时间有下降趋势...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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