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一种制作在第一导电类型的基本上单晶的衬底上的改进的分裂栅非易失性存储单元，包括第二导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域、以及在所述衬底上的所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区。所述存储单元具有在所述沟道区的一部分上的选择栅，在所述沟...
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